GAN CHARGER vs Charger Normal vs carregador de silício |ZONSAN

Diferentes materiais são a raiz de todas as diferenças.

O carregador comum tradicional, seu material básico é o silício.Portanto, o carregador normal também é chamado de carregador de silício.O desenvolvimento de silício em hoje tem muitas limitações.Muitos fabricantes começaram a trabalhar duro para encontrar uma alternativa mais adequada.

Com o aumento do poder de carregamento rápido, o volume de cabeça de carregamento rápido é maior, o que não pode atender à exigência de portabilidade dos carregadores na vida cotidiana.Alguns carregadores de alta potência também são fáceis de causar ao carregamento de cabelos por um longo tempo, e até costumam ver as notícias do incêndio do carregador nas notícias.Portanto, é mais urgente encontrar novos materiais de reposição.

O nitreto de gálio (GaN) é conhecido como a terceira geração de materiais semicondutores.Comparado ao silício, seu desempenho é aprimorado exponencialmente e é mais adequado para dispositivos de alta potência, tamanho menor e maior densidade de potência que o silício.A frequência do chip GaN é muito maior que o silício, o que reduz efetivamente o tamanho do transformador interno e outras partes originais, e o excelente desempenho de dissipação de calor também permite que as partes originais internas sejam dispostas com mais precisão, o que finalmente resolve a contradição entre a taxa de carregamentoe portabilidade perfeitamente.Obviamente, o nitreto de gálio é o material que estamos procurando.

Depois de entender as características de cada material, a diferença entre o carregador GaN e o carregador normal é evidente, o carregador GaN é menor em tamanho com a mesma potência e melhor dissipação de calor, para que possa facilmente obter tamanho pequeno e alta potência.

Vantagens e desvantagens de GaN

Comparado com outros semicondutores, o nitreto de gálio tem maior resistência ao campo de ruptura, taxa de migração de elétrons de saturação e condutividade térmica, o que significa que o nitreto de gálio é mais adequado para dispositivos de alta potência e alta frequência do que o silício.

Ao mesmo tempo, há outra vantagem: tamanho pequeno e alta densidade de potência.

Não subestime o tamanho pequeno, quanto maior a potência, maior o tamanho da cabeça de carregamento.Quando se trata de 27W ou até 40W de carregamento rápido, o tamanho da cabeça de carregamento normal é quase tão grande quanto um banco de energia.Nesse momento, você sentirá falta da cabeça de carregamento 5W da Apple, apenas do mesmo tamanho que um bloco de tofu.Então, é possível que exista um material que possa perceber a demanda de carga rápida de tamanho pequeno e alta potência?Esta é a expectativa de nitreto de gálio no estágio inicial de seu nascimento.

Atualmente, algumas poderosas fábricas de carregador GaN foram desenvolvidas na China, como Zonsan, Anker, Xiaomi e assim por diante.No entanto, se houver atacadistas ou distribuidores que precisam encontrar uma fábrica de carregador de origem, eu recomendaria o zonsan.Porque não opta por se registrar e desenvolver sua própria marca para melhor atender seus clientes globais de marca e fazer seus negócios OEM/ODM de todo o coração.E o carregador OEM/ODM da zonsan foram geralmente reconhecidos pelo mercado, como os mercados europeus e coreanos, nas principais plataformas de vendas possuem produtos zonsan.

Recomendação do carregador OEM GAN