Gan Ladegerät gegen normales Ladegerät gegen Siliziumladegerät |ZONSAN

2022-12-01
Unterschied zwischen Gan Charger und normalem Ladegerät

Ich glaube, diejenigen, die sich um die Ladegerätebranche kümmern, haben den Begriff "Gan" bemerkt, der heutzutage häufiger erscheint.Was ist der Unterschied zwischen Gan Charger und dem normalen Ladegerät?Reden wir heute darüber.


Unterschiedliche Materialien sind die Wurzel aller Unterschiede.

Das traditionelle gewöhnliche Ladegerät, sein Grundmaterial ist Silizium.Das normale Ladegerät wird also auch Siliziumladegerät bezeichnet.Die Siliziumentwicklung in der heutigen Zeit hat viele Einschränkungen.So viele Hersteller begannen hart zu arbeiten, um eine geeignetere Alternative zu finden.

Mit der Erhöhung der schnellen Ladekraft ist das Volumen des schnellen Ladekopfes größer, was die Erfordernis der Portabilität von Ladegeräten im täglichen Leben nicht erfüllen kann.Einige Hochleistungsladegeräte sind auch leicht zu veranlassen, dass Haare für lange Zeit aufgeladen werden, und sehen in den Nachrichten auch oft die Nachrichten von Ladegerät.Daher ist es dringlicher, neue Ersatzmaterialien zu finden.

Galliumnitrid (GaN) ist als dritte Generation von Halbleitermaterialien bekannt.Im Vergleich zu Silizium wird seine Leistung exponentiell verbessert und eignet sich besser für Hochleistungsgeräte, geringere Größe und höhere Leistungsdichte als für Silizium.Die Häufigkeit von GaN -Chip ist viel höher als Silizium, was die Größe des internen Transformators und anderer ursprünglicher Teile effektiv reduziert, und die hervorragende Leistung der Wärmeabteilung ermöglicht es auch, dass die internen Originalteile genauer angeordnet werden, was schließlich den Widerspruch zwischen der Laderate löstund vollkommen Portabilität.Offensichtlich ist Galliumnitrid das Material, das wir stattdessen suchen.

Nach dem Verständnis der Merkmale jedes Materials ist der Unterschied zwischen GaN-Ladegerät und normalem Ladegerät selbstverständlich. Gan-Ladegerät ist mit der gleichen Leistung und einer besseren Wärmeabteilung kleiner, sodass es leicht eine geringe Größe und hohe Leistung erzielen kann.

Vor- und Nachteile von Gan

Im Vergleich zu anderen Halbleitern weist Galliumnitrid eine höhere Abbaufeldstärke, die Sättigungselektronenmigrationsrate und die thermische Leitfähigkeit auf, was bedeutet, dass Galliumnitrid besser für Geräte mit hoher Leistung und Hochfrequenzleistung als Silizium geeignet ist.

Gleichzeitig gibt es einen weiteren Vorteil: kleine und hohe Leistungsdichte.

Unterschätzen Sie nicht die geringe Größe, je höher die Kraft, desto größer ist die Größe des Ladekopfes.Wenn es um 27W oder sogar 40W schnell geladen wird, ist die Größe des normalen Ladekopfes fast so groß wie eine Power Bank.In diesem Moment werden Sie Apples 5W -Ladekopf vermissen, nur die gleiche Größe wie ein Tofu -Block.Ist es also möglich, dass es ein Material gibt, das die Nachfrage nach schnellem Laden mit geringer Größe und hoher Leistung erkennen kann?Dies ist die Erwartung von Galliumnitrid im frühen Stadium seiner Geburt.

Gegenwärtig wurden in China einige mächtige Gan Charger -Fabriken wie Zonsan, Anker, Xiaomi und so weiter entwickelt.Wenn es jedoch Großhändler oder Händler gibt, die eine Quell -Ladegerät -Fabrik finden müssen, würde ich zonsan empfehlen.Weil es sich nicht dafür entscheidet, eine eigene Marke zu registrieren und zu entwickeln, um seine globalen Markenkunden besser zu bedienen und sein OEM/ODM -Geschäft von ganzem Herzen zu erledigen.Das OEM/ODM -Ladegerät von zonsan wurde vom Markt wie der europäischen und koreanischen Märkte in den wichtigsten Verkaufsplattformen allgemein anerkannt.

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