Gan Charger vs Normal Charger vs Silicon Charger |ZONSAN

2022-12-01
Diferencia entre el cargador GaN y el cargador normal

Creo que aquellos que se preocupan por la industria de los cargadores han notado el término "gan", que parece más frecuentemente hoy en día.Entonces, ¿cuál es la diferencia entre el cargador GAN y el cargador ordinario?Hablemos de eso hoy.


Diferentes materiales son la raíz de todas las diferencias.

El cargador ordinario tradicional, su material básico es el silicio.Entonces, el cargador normal también se llama cargador de silicio.El desarrollo de silicio en hoy tiene muchas limitaciones.Muchos fabricantes comenzaron a trabajar duro para encontrar una alternativa más adecuada.

Con el aumento del poder de carga rápida, el volumen de la cabeza de carga rápida es más grande, lo que no puede cumplir con el requisito de portabilidad de los cargadores en la vida diaria.Algunos cargadores de alta potencia también son fáciles de hacer que el cabello se calienta durante mucho tiempo, e incluso a menudo ven las noticias del fuego de cargadores en las noticias.Por lo tanto, es más urgente encontrar nuevos materiales de reemplazo.

El nitruro de galio (GaN) se conoce como la tercera generación de materiales semiconductores.En comparación con el silicio, su rendimiento se mejora exponencialmente, y es más adecuado para dispositivos de alta potencia, tamaño más pequeño y mayor densidad de potencia que el silicio.La frecuencia del chip GaN es mucho mayor que el silicio, lo que reduce efectivamente el tamaño del transformador interno y otras partes originales, y el excelente rendimiento de disipación de calor también permite que las partes originales internas se organicen con mayor precisión, lo que finalmente resuelve la contradicción entre la tasa de cargay portabilidad perfectamente.Obviamente, el nitruro de galio es el material que estamos buscando.

Después de comprender las características de cada material, la diferencia entre el cargador GaN y el cargador normal es evidente, el cargador GaN es de menor tamaño con la misma potencia y una mejor disipación de calor, por lo que puede lograr fácilmente un tamaño pequeño y alta potencia.

Ventajas y desventajas de GaN

En comparación con otros semiconductores, el nitruro de galio tiene una mayor resistencia al campo de descomposición, la tasa de migración de electrones de saturación y la conductividad térmica, lo que significa que el nitruro de galio es más adecuado para dispositivos de alta potencia y alta frecuencia que el silicio.

Al mismo tiempo, hay otra ventaja: pequeño tamaño y alta densidad de potencia.

No subestimes el tamaño pequeño, cuanto mayor sea la potencia, mayor es el tamaño del cabezal de carga.Cuando se trata de 27W o incluso 40W de carga rápida, el tamaño del cabezal de carga normal es casi tan grande como un banco de energía.En este momento, se perderá el cabezal de carga 5W de Apple, solo el mismo tamaño que un bloque de tofu.Entonces, ¿es posible que haya un material que pueda darse cuenta de la demanda de una carga rápida con un tamaño pequeño y alta potencia?Esta es la expectativa de nitruro de galio en la etapa temprana de su nacimiento.

En la actualidad, se han desarrollado algunas poderosas fábricas de cargadores GaN en China, como Zonsan, Anker, Xiaomi, etc.Sin embargo, si hay mayoristas o distribuidores que necesitan encontrar una fábrica de cargadores de origen, recomendaría zonsan.Porque no elige registrarse y desarrollar su propia marca para servir mejor a sus clientes de la marca global y hacer su negocio OEM/ODM de todo corazón.Y el cargador OEM/ODM de zonsan ha sido generalmente reconocido por el mercado, como los mercados europeos y coreanos, en las principales plataformas de ventas tienen productos zonsan.

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