Le basi della tecnologia del caricabatterie GAN |ZONSAN

~~2022-12-03~~ GAN, noto anche come nitruro di gallio, è l'ultima generazione di materiale a semiconduttore con un grande potenziale per lo sviluppo e l'applicazione.Il GAN è 3 volte più grande del silicio in termini di larghezza della banda, 10 volte superiore in termini di resistenza del campo di rottura, 3 volte più alto in termini di tasso di migrazione degli elettroni di saturazione e 2 volte superiore in termini di conducibilità termica.Alcuni dei vantaggi di questi miglioramenti delle prestazioni sono che GAN è più adatto a dispositivi di potenza ad alta potenza e ad alta frequenza rispetto al silicio, pur essendo più piccolo e con una maggiore densità di potenza.Un esempio più intuitivo è che se tutti gli apparecchi elettrici vengono sostituiti con GAN, il consumo complessivo di elettricità sarà ridotto del 20%.

Storia dei materiali a semiconduttore

1. La prima generazione di materiali a semiconduttore
SI, semiconduttori elementali basati su GE, dispositivi microelettronici di piccola e media potenza

2. Materiali a semiconduttore di seconda generazione
GAAS, INP e altri semiconduttori composti, LED, LD e altri dispositivi optoelettronici

3. Materiali a semiconduttore di terza generazione
Gan, SIC e altri semiconduttori a banda larga, dispositivi microelettronici, optoelettronici e microonde ad alta potenza

Caratteristiche di GAN

1. Larghezza della banda proibita, può coprire la gamma spettrale rossa, gialla, verde, blu, viola e ultravioletta
2. Caratteristiche ad alta frequenza, può raggiungere i 300 GHz (il silicio è 10G, GaAS è 80G)
3. Caratteristiche ad alta temperatura, funzionamento normale a 300 ° C (molto adatto per ambienti aerospaziali, militari e altri ambienti ad alta temperatura)
4. alta velocità di saturazione della deriva elettronica, costante dielettrica piccola, buona conducibilità termica
5. Acido, alcali e resistenza alla corrosione (possono essere utilizzati in ambienti difficili)
6. Caratteristiche ad alta tensione (resistenti agli shock, alta affidabilità)
7. Alta potenza (dispositivi ad alta potenza)

Applicazioni GAN

1. Caricatore a parete, caricabatterie desktop
2. Componenti RF
3. CHIP GAN HEMT, HEMT MMIC
4. Radar a fasi attivo
5. Comunicazione a banda larga
6. Dispositivi di alimentazione a microonde

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