Les bases de la technologie Gan Charger |ZONSAN

~~2022-12-03~~ Gan, également connu sous le nom de nitrure de gallium, est la dernière génération de matériel semi-conducteur avec un grand potentiel de développement et d'application.Le GAN est 3 fois plus grand que le silicium en termes de largeur de bande, 10 fois plus élevé en termes de résistance au champ de panne, 3 fois plus élevé en termes de taux de migration d'électrons de saturation et 2 fois plus élevé en termes de conductivité thermique.Certains des avantages de ces améliorations de performances sont que GAN est plus adapté aux dispositifs de puissance élevée et à haute fréquence que le silicium, tout en étant plus petit et ayant une plus grande densité de puissance.Un exemple plus intuitif est que si tous les appareils électriques sont remplacés par du GAN, la consommation globale d'électricité sera réduite de 20%.

Histoire des matériaux semi-conducteurs

1. La première génération de matériaux semi-conducteurs
SI, semi-conducteurs élémentaires à base de GE, dispositifs microélectroniques à puissance petite et moyenne

2. Matériaux semi-conducteurs de deuxième génération
GaAs, INP et autres semi-conducteurs composés, LED, LD et autres dispositifs optoélectroniques

3. Matériaux semi-conducteurs de troisième génération
GAN, sic et autres semi-conducteurs à large bande, appareils microélectroniques, optoélectroniques et micro-ondes

Caractéristiques de Gan

1. Largeur de bande interdite élevée, peut couvrir la plage spectrale rouge, jaune, vert, bleu, violet et ultraviolet
2. Caractéristiques de haute fréquence, peuvent atteindre 300 GHz (le silicium est 10g, GaAs est 80 g)
3. Caractéristiques de température élevée, fonctionnement normal à 300 ° C (très adapté à l'aérospatiale, militaire et autres environnements à haute température)
4. Vitesse de saturation élevée de la dérive d'électrons, petite constante diélectrique, bonne conductivité thermique
5. Résistance à l'acide, à l'alcali et à la corrosion (peut être utilisé dans des environnements difficiles)
6. Caractéristiques de haute tension (résistante aux chocs, haute fiabilité)
7. Haute puissance (dispositifs haute puissance)

Applications GAN

1. Chargeur mural, chargeur de bureau
2. Composants RF
3. CHIP GAN HEMT, HEMT MMIC
4. Radar phasé actif
5. Communication à large bande
6. Dispositifs d'alimentation micro-ondes

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