ROHM sviluppa nuove tecnologie per il controllo dei semiconduttori Gan Power

2023-03-25 ROHM sviluppa nuove tecnologie per il controllo dei semiconduttori Gan Power

Recentemente, le notizie ufficiali di ROHM mostrano che ha sviluppato un IC di controllo ad alta velocità per semiconduttori GAN in grado di ridurre l'area del pacchetto di alimentazione dell'86% e può ridurre il tempo quando si passa la corrente attraverso il circuito integrato a 2 nanosecondi (solo un quarto dell'originale), che è il più veloce del settore.L'uso di questo controllo IC, GAN Semiconductor può massimizzare le prestazioni della commutazione ad alta velocità migliore del semiconduttore di silicio esistente (SI), ecc., Ma anche per ottenere la miniaturizzazione dei componenti periferici dell'unità.

Fonti del settore indicano che questa tecnologia dovrebbe essere utilizzata in combinazione con i semiconduttori GAN, ecc. Prodotti dall'azienda, per applicazioni come stazioni base di comunicazione, data center (DC), macchine industriali e robot volanti (droni).I campioni saranno disponibili già nel 2023.