Avantages et principe de travail de la technologie GAN

2023-04-17 Qu'est-ce que la technologie du nitrure de gallium?

Le nitrure de gallium est un composé inorganique de l'azote et du gallium, et est un semi-conducteur de l'écart d'énergie direct.

Cependant, beaucoup de gens n'ont qu'un vague concept de GaN, mais ils ne sont pas clairs sur le principe de son petit volume et de sa puissance élevée, et pourquoi il peut changer le schéma de plusieurs industries.

Quels sont les avantages du nitrure de gallium?

En raison des transistors plus petits de Gan, du chemin de courant plus court, de la résistance et de la capacité ultra-bas, les chargeurs Gan peuvent fonctionner 100 fois plus rapidement que les dispositifs de silicium traditionnels.

Grande largeur de bande interdite 3,4EV, conductivité thermique élevée 1,3 W CM-K, puis température de fonctionnement élevée, tension de dégradation élevée et résistance à rayonnement élevée.

Le nitrure de gallium est facile à former des cristaux mixtes avec l'ALN et l'inn, et peut être transformé en diverses structures hétérogènes.De plus, la symétrie du réseau Gan est relativement faible et a une forte piézoélectricité et une ferroélectricité.

En raison des avantages matériels, les dispositifs d'alimentation GAN peuvent obtenir une charge inférieure et une charge de porte, ce qui signifie de meilleures performances de conduction et de commutation.Par conséquent, les dispositifs d'alimentation GAN conviennent plus aux applications à haute fréquence, ce qui est très bénéfique pour améliorer l'efficacité et la densité de puissance des convertisseurs.

Quel est le principe de la technologie Gan

Avec des caractéristiques de dispositifs uniques, les appareils GaN ont joué un rôle de plus en plus lourd dans le domaine de la charge rapide.Cependant, la tension de porte des appareils GaN traditionnels est très spéciale, la tension seuil de la porte est extrêmement faible, environ 1 V peut effectuer partiellement la tension de la grille et la tension de porte de porte n'est que d'environ 6 V.



Le diagramme ci-dessus montre le circuit d'application des dispositifs GaN traditionnels.Afin de faire correspondre le contrôleur d'alimentation traditionnel, les ingénieurs doivent configurer le circuit de conversion de niveau complexe à la porte, ce qui est très gênant à utiliser.



Par rapport aux dispositifs GAN traditionnels, les circuits intégrés GaN à entraînement direct PGD7115 n'ont pas besoin de configurer les circuits de conversion de niveau complexe, de sorte que les circuits périphériques sont plus concises, ce qui réduit efficacement le coût du BOM et accélère le cycle du temps à marquer du produit.

Avec les avantages de la vitesse de commutation rapide, de la faible résistance et de la faible charge d'entrée et de sortie, Gan remplace progressivement le tube MOS de silicium haute tension traditionnel en charge rapide.L'utilisation du GAN au lieu du tube MOS de silicium réduit non seulement la perte de commutation, améliore l'efficacité de conversion du chargeur, élimine la nécessité de concevoir un grand dissipateur de chaleur, mais augmente également considérablement la fréquence de commutation du dispositif d'alimentation, réduit l'inductance de l'inductanceLe transformateur réduit la taille du transformateur et réduit ainsi la taille du chargeur.